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用途：

该设备用于半导体芯片生产工艺过程中，在可控磁场中实现真空退火、真空合金、真空晶化等工艺。该系统具有精确的磁场强度和温度控制系统和高真空系统。

主要技术参数：

◆结构型式：卧式热壁型

◆工作温度范围：500度，700度，1100度。

◆恒温区长度及精度：±0.5℃/800mm

◆气体流量设定精度:±1％F.S

◆气路系统气密性： 1×10-7pa.m3/s

◆工艺均匀性:≤±5％

◆控制方式： 工业微机控制

◆真空度： 5*10-4 Pa

◆记录工艺曲线数量及工艺步数不受限制