产品中心

核心技术参数

- 温区数量：3–4段独立温控

- 最高工作温度：1250℃

- 极限真空度：≤1×10⁻³Pa

- 控温精度：±1℃

- 加热元件：硅碳棒/钼丝可选

- 适配原料：金属镉、升华硫气相合成CdS多晶

- 炉腔材质：高纯石英反应管

核心应用领域

1. 光伏产业：碲化镉薄膜电池缓冲层CdS靶材原料

2. 光电探测：可见光/紫外光电探测器、光敏电阻基底材料

3. 催化材料：可见光光催化、纳米硫化镉粉体前驱体制备

4. 光学器件：红外窗口、荧光发光晶体、量子点原材料

5. 科研院所：Ⅱ-Ⅵ族半导体材料气相合成、新材料实验研发