核心技术参数
- 温区配置：2–4区独立分段控温
- 最高工作温度：1300℃
- 极限真空：≤1×10⁻³Pa
- 控温精度：±1℃
- 加热元件：钼丝/硅碳棒双选配
- 适配工艺：CdTe多晶合成、碲锌镉合金制备
应用领域
- 光伏行业：碲化镉薄膜太阳能电池溅射靶材原料
- 探测器件：X/γ射线辐射探测晶体基底
- 光电半导体：红外探测器、外延生长衬底原材料
- 科研院所：半导体新材料气相合成实验研发
碲化镉合成炉
上架时间：2026-06-16
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产品类型：专为化合物半导体材料研发量产打造，采用分段梯度控温高真空反应体系，实现高纯镉、碲单质气相化合，稳定产出6N级碲化镉多晶锭。
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